紫外线可见漫反射简介
&n✨bsp; 漫射光是指由一个光源发出的光进入样品内部，经🦂多次反射、折射、散射和吸收后，返回到样品表面的光，其漫反射光谱主要与物质的电子结构有关。
; 对粉状物质等不透明样品，无法用直射光系⛦统测试，进一步了解其性能，需借助积分球测试漫反射光。漫射光是样品内部分子作用后形成的光，它携带着丰富的样品电子结构和组织信息。
对混浊溶液、悬浊溶液、不规则镜片等试样进行测试，若采用直射光系统测试，因光在通过样品时会发生散射或光路变化，导致到达检测器的光斑形状和大小等发生变化，测试结果会产生误差，为了解决光路偏移及光束改变所造成的测试不准，这个时候就需要采🧸用积分球来收集，信号光在积分球内经过多次的漫反射会造成测量结果的误差，为了解决光路偏移及光束改变所造成的测试不𒁃准，这个时候就需要采用积分球来收集，信号光在积分球内经过多次的漫射会以恒定比的方式来测量。
半导体禁带宽度简介
在常温下，半导体是导电性位于导体与绝缘体之间的材料，具有一定的禁带。利用合适的光激发半导体✅材料，可使其激发价带的电子到导带，从而产生电子与空穴对，而该导带低端与价带顶的能量差即为带隙大🦩小。半导体的能带结构可以用测试来分析其光电特性。用UV-Vis DRS检测紫外-可见漫反射光谱法是分析带隙值的一种方法。
一个紫外可见漫射和禁带计算的例子
; 本文以粉体样品为例，采用天美UV2600紫外可见分光光度计和IS2600积分球测试，积分球池有正、反向两🦩个凹槽设计，分别满足了常规样量和微量试样的测试，而且粉末池上有石英窗，避免了样品粉末掉入仪𒆙器或积分球内造成污染的情况。
&nbs🏅p; &n𝔍bsp; 首先以标准白板(R%模式)作基线测试，然后对样品进行漫反射测试，得到其紫外-可见漫反射光谱。
通过漫射反射定律也称为 Kubelka– Munk函数可以看出：
F (R)=(1- R)2/2 R= K/S
而 R, K, S分别代表样品的反射系数，吸收系数和散射系数
此外，根据托克，戴维斯和莫特等人提出的一个公式，通常被称为“托克式”：
(hρ*α) n= A (hε- Eg)
这两个函数中， h是普朗克常数，ρ是频率， A是常数，α是吸收指数， Eg是半导体禁带宽度
此处 n对间接带隙半导体 n=1/2，对直接带隙半导体 n=2
F (R∞)正比吸收系数α，而α在 Tauc方程中可用 F (R∞)代替，因此，它可以转换为：
[F(R)*hv]n = A(hv - Eg)
那么， hv是横坐标，(F (R∞)* h👍v) n是纵坐标，在(F (R∞)* hv) n=0时，相应的横坐标 hv即为 Eg值的大小。下面是一个直接型半导体材料的例子：
特定的数据处理方法示例：
按照UV-Vis DRS数据(波长和纵坐标分别为反射率)，如下表所示：
这将转换成 D列数据： hv=1240/波长，单位为 eV
因此，将一个纵坐标转换成 F列数据， F (R∞)=(1- R)2/2 R，其♈中 R表示反射率数值，即表示表中ܫ B列/100得出
从表数据中可获得纵、横坐标的图形，并根据直线外推法与横坐标的交点即为 Eg值。
结论
上述实例表明，利用天美紫外可见分光光度计UV2600+积分球IS2600计算半导体材料的宽度限制，用天美紫外可见分光光度计UV2600+积分球IS2600+半导体材料的漫反射测试，并反应材料的电子结构信息和光꧋吸收测试。
